文献
J-GLOBAL ID:200902220684317174
整理番号:04A0769427
横型nDMOSトランジスタにおけるホットホール劣化効果
Hot Hole Degradation Effects in Lateral nDMOS Transistors
著者 (6件):
MOENS P
(AMI Semiconductor Belgium BVBA, Oudenaarde, BEL)
,
VAN DEN BOSCH G
(IMEC, Leuven, BEL)
,
DE KEUKELEIRE C
(AMI Semiconductor Belgium BVBA, Oudenaarde, BEL)
,
DEGRAEVE R
(IMEC, Leuven, BEL)
,
TACK M
(AMI Semiconductor Belgium BVBA, Oudenaarde, BEL)
,
GROESENEKEN G
(IMEC, Leuven, BEL)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
51
号:
10
ページ:
1704-1710
発行年:
2004年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)