文献
J-GLOBAL ID:200902220740800215
整理番号:06A0060363
多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化
Dose Optimization of Lateral SiC MOSFETs with Multi-RESURF Structure
著者 (3件):
登尾正人
(京大)
,
須田淳
(京大)
,
木本恒暢
(京大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
105
号:
492(SDM2005 201-223)
ページ:
119-124
発行年:
2005年12月14日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)