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文献
J-GLOBAL ID：200902220771733010
整理番号：05A0728328
高電圧縦方向RESURF・MOSFETのためのスケーラブル,トレンチエッチベースプロセス
A scalable trench etch based process for high voltage vertical RESURF MOSFETs
ROCHEFORT C.
(Philips Res. Leuven, Leuven, BEL)
,
VAN DALEN R.
(Philips Res. Leuven, Leuven, BEL)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 17th ページ： 35-38 発行年： 2005年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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