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文献
J-GLOBAL ID：200902220867558332
整理番号：05A0496375
1.5μmのGaInNAsSb/GaAsレーザの再結合,利得,バンド構造,効率および信頼性
Recombination, gain, band structure, efficiency, and reliability of 1.5-μm GaInNAsSb/GaAs lasers
GODDARD Lynford L.
(Stanford Univ., Stanford, California)
,
BANK Seth R.
(Stanford Univ., Stanford, California)
,
WISTEY Mark A.
(Stanford Univ., Stanford, California)
,
YUEN Homan B.
(Stanford Univ., Stanford, California)
,
RAO Zhilong
(Stanford Univ., Stanford, California)
,
HARRIS James S., Jr.
(Stanford Univ., Stanford, California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 97 号： 8 ページ： 083101.1-083101.15 発行年： 2005年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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