文献
J-GLOBAL ID:200902220909011363
整理番号:08A0549591
アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛トランジスタにおけるサブスレッショルドスウィング改善の起源
Origin of Subthreshold Swing Improvement in Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Transistors
著者 (8件):
JEONG Jong Han
(Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
YANG Hui Won
(Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
PARK Jin-Seong
(Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
JEONG Jae Kyeong
(Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
MO Yeon-Gon
(Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
KIM Hye Dong
(Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
SONG Jaewon
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG Cheol Seong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻:
11
号:
6
ページ:
H157-H159
発行年:
2008年
JST資料番号:
W1290A
ISSN:
1099-0062
CODEN:
ESLEF6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)