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文献
J-GLOBAL ID：200902221001706134
整理番号：05A0535181
HfO2誘電体上の完全ににけい化した白金ゲートのけい素原子によれ誘起されたFermi準位ピニング
Silicon-Atom Induced Fermi-Level Pinning of Fully Silicided Platinum Gates on HfO2 Dielectrics
KADOSHIMA Masaru
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
AKIYAMA Koji
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
MISE Nobuyuki
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
IWAMOTO Kunihiko
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
YASUDA Naoki
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
TOMINAGA Koji
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
IKEDA Minoru
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI Akira
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2267-2272 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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