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文献
J-GLOBAL ID：200902221030031375
整理番号：05A0969229
正確にオフセット制御された(1102)サファイア基板上の平坦な(1120)GaN薄膜
Flat (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0) GaN Thin Film on Precisely Offset-Controlled (1<span style=text-decoration:overline>1</span>02) Sapphire Substrate
IMURA Masataka
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
HOSHINO Akira
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
NAKANO Kiyotaka
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
TSUDA Michinobu
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
TSUDA Michinobu
(Kyocera Corp., Shiga, JPN)
,
IWAYA Motoaki
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
KAMIYAMA Satoshi
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO Hiroshi
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI Isamu
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 10 ページ： 7418-7420 発行年： 2005年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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