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文献
J-GLOBAL ID：200902221069777897
整理番号：05A0220462
Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT
A High Reliability GaN HEMT with SiN Passivation by Cat-CVD
国井徹郎
(三菱電機 高周波光デバイス製作所)
,
戸塚正裕
(三菱電機 高周波光デバイス製作所)
,
加茂宣卓
(三菱電機 高周波光デバイス製作所)
,
山本佳嗣
(三菱電機 高周波光デバイス製作所)
,
竹内日出雄
(三菱電機 高周波光デバイス製作所)
,
島田好治
(三菱電機 高周波光デバイス製作所)
,
志賀俊彦
(三菱電機 高周波光デバイス製作所)
,
南条拓真
(三菱電機 先端技総研)
,
大石敏之
(三菱電機 先端技総研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104 号： 552(MW2004 219-233) ページ： 25-30 発行年： 2005年01月11日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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