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文献
J-GLOBAL ID:200902221102108246   整理番号:04A0856952

P型4H-SiCへのTiAl系Ohm接触の電気的性質と界面微細構造の間の相関

Correlation between the Electrical Properties and the Interfacial Microstructures of TiAl-Based Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC
著者 (5件):
TSUKIMOTO S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
NITTA K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
SAKAI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
MORIYAMA M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
MURAKAMI M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名:
Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)

巻: 33  号:ページ: 460-466  発行年: 2004年05月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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