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文献
J-GLOBAL ID：200902221102108246
整理番号：04A0856952
P型4H-SiCへのTiAl系Ohm接触の電気的性質と界面微細構造の間の相関
Correlation between the Electrical Properties and the Interfacial Microstructures of TiAl-Based Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC
TSUKIMOTO S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NITTA K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SAKAI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MORIYAMA M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MURAKAMI M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 33 号： 5 ページ： 460-466 発行年： 2004年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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