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文献
J-GLOBAL ID：200902221111923130
整理番号：07A1056337
ペンタセン薄膜トランジスタにおける結晶ドメイン内の伝導度の揺らぎとその起源
Conductivity fluctuation within a crystalline domain and its origin in pentacene thin-film transistors
OHASHI Noboru
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)
,
TOMII Hiroshi
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)
,
MATSUBARA Ryousuke
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)
,
SAKAI Masatoshi
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)
,
KUDO Kazuhiro
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)
,
NAKAMURA Masakazu
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 16 ページ： 162105-162105-3 発行年： 2007年10月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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