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文献
J-GLOBAL ID：200902221126685619
整理番号：06A0266005
低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長
住吉和英
(徳島大 工)
,
月原政志
(徳島大 工)
,
沖本聖
(徳島大 工)
,
河道修一
(徳島大 工)
,
片岡研
(徳島大 工)
,
西野克志
(徳島大 工)
,
直井美貴
(徳島大 工)
,
酒井士郎
(徳島大 工)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd 号： 1 ページ： 378 発行年： 2006年03月22日
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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