文献
J-GLOBAL ID:200902221144102566
整理番号:05A0605999
β-FeSi2粒子/Si多層活性領域を持つSiベース発光ダイオードに関する分子ビームエピタクシーによる成長およびキャラクタリゼーション
Growth and Characterization of Si-Based Light-Emitting Diode with β-FeSi2-Particles/Si Multilayered Active Region by Molecular Beam Epitaxy
著者 (5件):
SUNOHARA Tsuyoshi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
LI Cheng
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
OZAWA Yoshinori
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
HASEGAWA Fumio
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
6A
ページ:
3951-3953
発行年:
2005年06月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)