文献
J-GLOBAL ID:200902221405543433
整理番号:07A0685886
SbドープMg2Si半導体の熱電特性
Thermoelectric properties of Sb-doped Mg2Si semiconductors
著者 (2件):
TANI Jun-ichi
(Dep. of Electronic Materials, Osaka Municipal Technical Res. Inst., 1-6-50 Morinomiya, Joto-ku, Osaka 536-8553, JPN)
,
KIDO Hiroyasu
(Dep. of Electronic Materials, Osaka Municipal Technical Res. Inst., 1-6-50 Morinomiya, Joto-ku, Osaka 536-8553, JPN)
資料名:
Intermetallics
(Intermetallics)
巻:
15
号:
9
ページ:
1202-1207
発行年:
2007年09月
JST資料番号:
W0672A
ISSN:
0966-9795
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)