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文献
J-GLOBAL ID：200902221470972848
整理番号：05A0298306
電子サイクロトロン共鳴スパッタリングにより蒸着した非晶質AlN膜を使ったAl/AlN/InP金属-絶縁性-半導体ダイオードの特性
Al/AlN/InP Metal-Insulator-Semiconductor-Diode Characteristics with Amorphous AlN Films Deposited by Electron-Cyclotron-Resonance Sputtering
SAITO K
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
ONO T
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIMADA M
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIGEKAWA N
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
ENOKI T
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 1A ページ： 334-342 発行年： 2005年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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