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文献
J-GLOBAL ID：200902221481306246
整理番号：03A0761884
4.2KのSi(100)表面上のc(4×2)とp(2×2)の間の相操作
Phase Manipulation between c(4×2) and p(2×2) on the Si(100) Surface at 4.2K.
SAGISAKA K
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
FUJITA D
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
KIDO G
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 91 号： 14 ページ： 146103.1-146103.4 発行年： 2003年10月03日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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