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文献
J-GLOBAL ID：200902221502368018
整理番号：03A0767586
W/W2N/ポリSiゲート電極構造におけるW2N複合物質障壁の温度安定性
Thermal Stability of W2N Compound Barrier in W/W2N/poly-Si Gate Electrode Configuration
NOYA A
(Kitami Inst. of Technol., Kitami-shi, JPN)
,
TAKEYAMA M B
(Kitami Inst. of Technol., Kitami-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E86-C 号： 11 ページ： 2332-2335 発行年： 2003年11月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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