文献
J-GLOBAL ID:200902221511769343
整理番号:04A0035440
酸化物半導体に基づく透明p-nヘテロ接合において観測された光起電力効果
Photovoltaic effect observed in transparent p-n heterojunctions based on oxide semiconductors
著者 (3件):
TONOOKA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
BANDO H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
AIURA Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
445
号:
2
ページ:
327-331
発行年:
2003年12月15日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)