文献
J-GLOBAL ID:200902221628552485
整理番号:08A0626998
ゲート絶縁体にSi3N4を用いてチャネル反転したエンハンスメントモードGaAs金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ
Demonstration of enhancement-mode GaAs metal-insulator-semiconductor field effect transistor with channel inversion using Si3N4 as gate dielectric
著者 (5件):
ZHENG J. F.
(Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd, Santa Clara, California 95052, USA)
,
TSAI W.
(Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd, Santa Clara, California 95052, USA)
,
LI W. P.
(Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., 15 Prospect Street, New Haven, Connecticut 06520, USA)
,
WANG X. W.
(Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., 15 Prospect Street, New Haven, Connecticut 06520, USA)
,
MA T. P.
(Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., 15 Prospect Street, New Haven, Connecticut 06520, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
92
号:
23
ページ:
232904
発行年:
2008年06月09日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)