文献
J-GLOBAL ID:200902221676063496
整理番号:08A0452379
金属ゲート電極における結晶微細構造チューニングによるフラットバンド電圧の広い可制御性
Wide Controllability of Flatband Voltage by Tuning Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes
著者 (14件):
OHMORI K.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
OHMORI K.
(National Inst. Materials Sci.)
,
CHIKYOW T.
(National Inst. Materials Sci.)
,
HOSOI T.
(Osaka Univ.)
,
WATANABE H.
(Osaka Univ.)
,
NAKAJIMA K.
(National Inst. Materials Sci.)
,
ADACHI T.
(National Inst. Materials Sci.)
,
ISHIKAWA A.
(National Inst. Materials Sci.)
,
SUGITA Y.
(Semiconductor Leading Edge Technol.)
,
NARA Y.
(Semiconductor Leading Edge Technol.)
,
OHJI Y.
(Semiconductor Leading Edge Technol.)
,
SHIRAISHI K.
(Univ. Tsukuba)
,
YAMABE K.
(Univ. Tsukuba)
,
YAMADA K.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2007 Vol.1
ページ:
345-348
発行年:
2007年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)