文献
J-GLOBAL ID:200902222021585003
整理番号:04A0843266
室温強磁性半導体のエピタキシャル成長と物理的性質 アナターゼ相Ti1-xCoxO2
Epitaxial growth and physical properties of a room temperature ferromagnetic semiconductor: Anatase phase Ti1-xCoxO2
著者 (9件):
YAMADA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TOYOSAKI H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAMURA K
(RIKEN, Sendai, JPN)
,
SEGAWA Y
(RIKEN, Sendai, JPN)
,
NAKAJIMA K
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
AOYAMA T
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
HASEGAWA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWASAKI M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
96
号:
9
ページ:
5097-5102
発行年:
2004年11月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)