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文献
J-GLOBAL ID：200902222078886760
整理番号：06A0447566
分子ビームエピタキシにより成長した(CdS/ZnSe)/BeTe量子井戸におけるλ≒1.49~3.4μmサブバンド間吸収
λ~1.49-3.4 μm intersubband absorptions in (CdS/ZnSe)/BeTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
LI B. S.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
,
AKIMOTO R.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
,
AKITA K.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
,
HASAMA T.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 22 ページ： 221915-221915-3 発行年： 2006年05月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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