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文献
J-GLOBAL ID:200902222101508778   整理番号:08A0677848

エピタキシャル誘起歪みによるGaAsの梁共振器の共振特性の改善

Improved resonance characteristics of GaAs beam resonators by epitaxially induced strain
著者 (6件):
YAMAGUCHI H.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
KATO K.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
NAKAI Y.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
ONOMITSU K.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
WARISAWA S.
(Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
ISHIHARA S.
(Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 92  号: 25  ページ: 251913  発行年: 2008年06月23日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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