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文献
J-GLOBAL ID：200902222101508778
整理番号：08A0677848
エピタキシャル誘起歪みによるGaAsの梁共振器の共振特性の改善
Improved resonance characteristics of GaAs beam resonators by epitaxially induced strain
YAMAGUCHI H.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
KATO K.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
NAKAI Y.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
ONOMITSU K.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
WARISAWA S.
(Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
ISHIHARA S.
(Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 25 ページ： 251913 発行年： 2008年06月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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