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文献
J-GLOBAL ID：200902222181908275
整理番号：04A0683676
軸方位(000-1)C面基板に化学蒸着による4H-SiCのホモエピタキシャル成長
Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis (0 0 0 <span style=text-decoration:overline>1</span>) C-face substrates by chemical vapor depositon
KOJIMA K
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KURODA S
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 269 号： 2/4 ページ： 367-376 発行年： 2004年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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