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文献
J-GLOBAL ID：200902222656778193
整理番号：05A0197021
不揮発性フラッシュメモリ用のポリイミド層中に埋込んだNi1-xFexナノ結晶の作製と電気特性
Formation and electrical properties of Ni1-xFex nanocrystals embedded in a polyimide layers for applications as nonvolatile flash momories
KIM J H
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
JIN J Y
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
JUNG J H
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
LEE I
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
KIM T W
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
LIM S K
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
YOON C S
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Y-H
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 3 ページ： 032904.1-032904.3 発行年： 2005年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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