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文献
J-GLOBAL ID：200902223166394326
整理番号：06A0138891
超薄膜Siチャンネルおよび自己整合したソースとドレインを持つ縦型2重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターの作製と評価
Fabrication and characterization of vertical-type double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with ultrathin Si channel and self-aligned source and drain
MASAHARA Meishoku
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
LIU Yongxun
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
ENDO Kazuhiko
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
MATSUKAWA Takashi
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
SAKAMOTO Kunihiro
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
ISHII Kenichi
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
O’UCHI Shinichi
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
SUGIMATA Etsuro
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
YAMAUCHI Hiromi
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
,
SUZUKI Eiichi
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 7 ページ： 072103-072103-3 発行年： 2006年02月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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