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文献
J-GLOBAL ID：200902223352535029
整理番号：08A0646245
SiO2上のペンタセン多結晶膜における結晶ドメン境界の障壁高さとドメイン内移動度の解析
Analysis of barrier height at crystalline domain boundary and in-domain mobility in pentacene polycrystalline films on SiO2
MATSUBARA Ryousuke
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN)
,
OHASHI Noboru
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN)
,
SAKAI Masatoshi
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN)
,
KUDO Kazuhiro
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN)
,
NAKAMURA Masakazu
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Chiba Univ., Chiba 263-8522, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 24 ページ： 242108 発行年： 2008年06月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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