文献
J-GLOBAL ID:200902223368333000
整理番号:05A0768740
4H-SiC(0001)エピタキシャル層での内生積層欠陥および高電圧Schottky障壁ダイオードに及ぼすその影響に関するキャラクタリゼーション
Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC (0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky barrier diodes
著者 (5件):
FUJIWARA H.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJIWARA H.
(Toyotanso, Kagawa, JPN)
,
KIMOTO T.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TOJO T.
(Toyotanso, Kagawa, JPN)
,
MATSUNAMI H.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
87
号:
5
ページ:
051912.1-051912.3
発行年:
2005年08月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)