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文献
J-GLOBAL ID：200902223394081362
整理番号：04A0336696
レオタキシアル成長と熱酸化で作製した純及びTi添加ガス応答性Ga2O3膜の形態と電気特性
Morphology and electrical properties of pure and Ti-doped gas-sensitive Ga2O3 film prepared by rheotaxial growth and thermal oxidation
CHEN CHIN-C
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN CHIU-C
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名：
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻： 19 号： 4 ページ： 1105-1117 発行年： 2004年04月
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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