文献
J-GLOBAL ID:200902223431255902
整理番号:06A0722299
ペンタセン電界効果トランジスタにおける調節可能なしきい電圧とフラットバンド電圧
Tunable threshold voltage and flatband voltage in pentacene field effect transistors
著者 (4件):
WANG Annie
(Microsystems Technol. Lab., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139)
,
KYMISSIS Ioannis
(Microsystems Technol. Lab., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139)
,
BULOVIC Vladimir
(Microsystems Technol. Lab., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139)
,
AKINWANDE Akintunde I.
(Microsystems Technol. Lab., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
11
ページ:
112109-112109-3
発行年:
2006年09月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)