文献
J-GLOBAL ID:200902223432849253
整理番号:06A0716301
MOSFET用コンパクト雑音モデル
Compact Noise Models for MOSFETs
著者 (1件):
JINDAL Renuka P.
(Univ. Louisiana at Lafayette, LA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
53
号:
9
ページ:
2051-2061
発行年:
2006年09月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)