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文献
J-GLOBAL ID：200902223474645526
整理番号：05A0267337
ゲート誘電体として原子層堆積Al2O3をもつGaN金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ
GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor with atomic layer deposited Al2O3 as gate dielectric
YE P D
(Agere Systems, Pennsylvania)
,
YANG B
(Agere Systems, Pennsylvania)
,
NG K K
(Agere Systems, Pennsylvania)
,
BUDE J
(Agere Systems, Pennsylvania)
,
WILK G D
(ASM America, Arizona)
,
HALDER S
(Lehigh Univ., Pennsylvania)
,
HWANG J C M
(Lehigh Univ., Pennsylvania)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 6 ページ： 063501.1-063501.3 発行年： 2005年02月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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