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文献
J-GLOBAL ID：200902223549218246
整理番号：08A1148607
多機能NVMおよびキャパシタレス1T-DRAMを目指したSiC上に作られたバンドオフセットFinFETベースのURAM(統合RAM)
Band Offset FinFET-Based URAM (Unified-RAM) Built on SiC for Multi-Functioning NVM and Capacitorless 1T-DRAM
HAN Jin-Woo
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
RYU Seong-Wan
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
KIM Sungho
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
KIM Chung-Jin
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
AHN Jae-Hyuk
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
CHOI Sung-Jin
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
CHOI Kyu Jin
(Jusung Engineering, Gwangju, KOR)
,
CHO Byung Jin
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
KIM Jin Soo
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
KIM Kwang Hee
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
LEE Gi Sung
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
OH Jae Sub
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
SONG Myong Ho
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
PARK Yun Chang
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
KIM Jeoung Woo
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
CHOI Yang-Kyu
(KAIST, Daejeon, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2008 ページ： 157-158 発行年： 2008年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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