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文献
J-GLOBAL ID：200902223557485318
整理番号：05A0644179
層剥離に応用するための引張歪みSi0.4Ge0.6/Geにおける水素ゲッタリングと歪誘起小板核生成
Hydrogen gettering and strain-induced platelet nucleation in tensilely strained Si0.4Ge0.6/Ge for layer exfoliation applications
PITERA Arthur J.
(Massachusetts Inst. of Technol. (MIT), Massachusetts)
,
FITZGERALD E. A.
(Massachusetts Inst. of Technol. (MIT), Massachusetts)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 97 号： 10,Pt.1 ページ： 104511.1-104511.11 発行年： 2005年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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