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文献
J-GLOBAL ID：200902223650128908
整理番号：05A0998418
Ag/p-Si Schottkyダイオードの電子及び界面状態密度分布特性
Electronic and interface state density distribution properties of Ag/p-Si Schottky diode
OKUTAN Mustafa
(Dep. of Physics, Gebze Inst. of Technol., 41400 Gebze, TUR)
,
BASARAN Engin
(Dep. of Physics, Gebze Inst. of Technol., 41400 Gebze, TUR)
,
YAKUPHANOGLU Fahrettin
(Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Firat Univ., 23169 Elazig, TUR)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 252 号： 5 ページ： 1966-1973 発行年： 2005年12月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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