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文献
J-GLOBAL ID：200902223765058580
整理番号：05A1051639
格子整合GaInAs-GaAsSbによるタイプII型量子井戸を用いたInP上の長波長フォトダイオード
A Long-Wavelength Photodiode on InP Using Lattice-Matched GaInAs-GaAsSb Type-II Quantum Wells
SIDHU Rubin
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
DUAN Ning
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CAMPBELL Joe C.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
HOLMES Archie L.,Jr.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 17 号： 12 ページ： 2715-2717 発行年： 2005年12月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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