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文献
J-GLOBAL ID：200902223817535950
整理番号：08A0646244
電気2重層ゲーティングを持つNiOのp型電界効果トランジスタ
p-type field-effect transistor of NiO with electric double-layer gating
SHIMOTANI Hidekazu
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...)
,
SUZUKI Hirotaka
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...)
,
UENO Kazunori
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...)
,
KAWASAKI Masashi
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...)
,
IWASA Yoshihiro
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 24 ページ： 242107 発行年： 2008年06月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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