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文献
J-GLOBAL ID：200902223871949175
整理番号：04A0196397
イオン照射アシストアニールによるa-SiGe/SiO2中の増強された結晶核形成
Enhanced crystal nucleation in a-SiGe/SiO2 by ion-irradiation assisted annealing
TSUNODA I
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KENJO A
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SADOH T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MIYAO M
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 224 号： 1/4 ページ： 231-234 発行年： 2004年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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