文献
J-GLOBAL ID:200902223881395992
整理番号:04A0150765
Si p+-i-n+フォトダイオードの高速応答の照射誘起劣化のパルスレーザー測定による研究
Irradiation Induced Degradation of High-Speed Response of Si p+-i-n+ Photodiodes Studied by Pulsed Laser Measurements
著者 (4件):
LAIRD J S
(Japan Atomic Energy Res. Inst. (JAERI), Gunma, JPN)
,
HIRAO T
(Japan Atomic Energy Res. Inst. (JAERI), Gunma, JPN)
,
ONODA S
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
,
ITOH H
(Japan Atomic Energy Res. Inst. (JAERI), Gunma, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
50
号:
6,Pt.1
ページ:
2003-2010
発行年:
2003年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)