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文献
J-GLOBAL ID：200902223903405571
整理番号：05A0009944
炭素ナノチューブの成長に対するAl層と触媒層の厚さの効果及びゲート電界放出配列体への応用
Effect of Al and catalyst thicknesses on the growth of carbon nanotubes and application to gated field emitter arrays
HAN I T
(Samsung Advanced Inst. Technol. (SAIT), Suwon, KOR)
,
KIM B K
(Sejong Univ., Seoul, KOR)
,
KIM H J
(Samsung Advanced Inst. Technol. (SAIT), Suwon, KOR)
,
YANG M
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
JIN Y W
(Samsung Advanced Inst. Technol. (SAIT), Suwon, KOR)
,
JUNG S
(Sejong Univ., Seoul, KOR)
,
LEE N
(Sejong Univ., Seoul, KOR)
,
KIM S K
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM J M
(Samsung Advanced Inst. Technol. (SAIT), Suwon, KOR)
資料名：
Chemical Physics Letters
(Chemical Physics Letters)
巻： 400 号： 1/3 ページ： 139-144 発行年： 2004年12月11日
JST資料番号： B0824A ISSN： 0009-2614 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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