文献
J-GLOBAL ID:200902224388501429
整理番号:05A0994946
STI-CMPにおける酸化けい素の皿状くぼみおよび段差状高さ減少に及ぼすCeO2研磨材粒度の影響
The effect of CeO2 abrasive size on dishing and step height reduction of silicon oxide film in STI-CMP
著者 (4件):
LIM D.s.
(Dep. of Material Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-Dong 5-1, Sungbuk-Ku, Seoul, 136-701, KOR)
,
AHN J.w.
(Dep. of Material Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-Dong 5-1, Sungbuk-Ku, Seoul, 136-701, KOR)
,
PARK H.s.
(Memory Res. and Dev. Div., Hynix Semiconductor Inc., San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Ichon-si, Kyoungki-do, 467-701, KOR)
,
SHIN J.h.
(Memory Res. and Dev. Div., Hynix Semiconductor Inc., San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Ichon-si, Kyoungki-do, 467-701, KOR)
資料名:
Surface & Coatings Technology
(Surface & Coatings Technology)
巻:
200
号:
5-6
ページ:
1751-1754
発行年:
2005年11月21日
JST資料番号:
D0205C
ISSN:
0257-8972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)