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文献
J-GLOBAL ID：200902224412287638
整理番号：08A0979151
4インチシリコン基板上の1.8kV以上の高いブレークダウン電圧を持つ高電力AlGaN/GaN HFETおよび電流コラプスの抑制
High power AlGaN/GaN HFET with a high breakdown voltage of over 1.8kV on 4 inch Si substrates and the suppression of current collapse
IKEDA Nariaki
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
KAYA Syuusuke
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
LI Jiang
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SATO Yoshihiro
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
KATO Sadahiro
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
YOSHIDA Seikoh
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th ページ： 287-290 発行年： 2008年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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