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文献
J-GLOBAL ID:200902224438778737   整理番号:05A0939554

Si/Si,Si/CuのAr高速原子ビームによる表面活性化常温封止接合

Room Temperature Bonding of Si/Si, Si/Cu by Ar Fast Atom Beam Activation for Sealing
著者 (5件):
岡田浩尚
(東大 大学院工学系研究科)
伊藤寿浩
(東大 大学院工学系研究科)
高木秀樹
(産業技術総合研)
前田龍太郎
(産業技術総合研)
須賀唯知
(東大 大学院工学系研究科)

資料名:
電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))

巻: J88-C  号: 11  ページ: 913-919  発行年: 2005年11月01日 
JST資料番号: S0623C  ISSN: 1345-2827  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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