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文献
J-GLOBAL ID：200902224607130270
整理番号：04A0323388
HfxSi1-xO2堆積用のHfとSi先行体蒸気圧の飽和ガス法による評価
Vapor Pressure of Hf and Si Precursors for HfxSi1-xO2 Deposition Evaluated by a Saturated Gas Technique
MACHIDA H
(TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN)
,
KADA T
(TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN)
,
ISHIKAWA M
(TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN)
,
OGURA A
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
OHSHITA Y
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 3 ページ： 966-967 発行年： 2004年03月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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