文献
J-GLOBAL ID:200902224662222388
整理番号:08A0865784
HfO2/Geゲートスタック構造のゲルマニウム表面のフッ素処理による特性改善
Characteristics improvement of HfO2/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface
著者 (4件):
LEE Hyun
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
,
LEE Dong Hun
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
,
KANASHIMA Takeshi
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
,
OKUYAMA Masanori
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
254
号:
21
ページ:
6932-6936
発行年:
2008年08月30日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)