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文献
J-GLOBAL ID:200902224662222388   整理番号:08A0865784

HfO2/Geゲートスタック構造のゲルマニウム表面のフッ素処理による特性改善

Characteristics improvement of HfO2/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface
著者 (4件):
LEE Hyun
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
LEE Dong Hun
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
KANASHIMA Takeshi
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
OKUYAMA Masanori
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 254  号: 21  ページ: 6932-6936  発行年: 2008年08月30日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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