文献
J-GLOBAL ID:200902224664088808
整理番号:04A0874690
Pt/(Bi,La)4Ti3O12/HfO2/Si構造における5日寿命の強誘電記憶効果
Five-day-long ferroelectric memory effect in Pt/(Bi,La)4Ti3O12/HfO2/Si structures
著者 (3件):
PARK B-E
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TAKAHASHI K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
ISHIWARA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
85
号:
19
ページ:
4448-4450
発行年:
2004年11月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)