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文献
J-GLOBAL ID：200902224826189409
整理番号：07A1233072
GaInN/GaN発光ダイオードにおける効率低下に及ぼす転位密度の影響
Effect of dislocation density on efficiency droop in GaInN/GaN light-emitting diodes
SCHUBERT Martin F.
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst. ...)
,
CHHAJED Sameer
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst. ...)
,
KIM Jong Kyu
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst. ...)
,
SCHUBERT E. Fred
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst. ...)
,
KOLESKE Daniel D.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
CRAWFORD Mary H.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
LEE Stephen R.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
FISCHER Arthur J.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
THALER Gerald
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
BANAS Michael A.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 23 ページ： 231114-231114-3 発行年： 2007年12月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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