文献
J-GLOBAL ID:200902224872852341
整理番号:05A0754089
MOCVDによるGaNエピタクシーへのトリメチルガリウム雰囲気でのサファイア焼なましの影響
Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD
著者 (5件):
GRZEGORCZYK A.p.
(Radboud Univ., Inst. for Molecules and Materials, Exp. Solid State Physics III, Toernooiveld 1, 6525 ED, Nijmegen, NLD)
,
HAGEMAN P.r.
(Radboud Univ., Inst. for Molecules and Materials, Exp. Solid State Physics III, Toernooiveld 1, 6525 ED, Nijmegen, NLD)
,
WEYHER J.l.
(Radboud Univ., Inst. for Molecules and Materials, Exp. Solid State Physics III, Toernooiveld 1, 6525 ED, Nijmegen, NLD)
,
WEYHER J.l.
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142, Warsaw, POL)
,
LARSEN P.k.
(Radboud Univ., Inst. for Molecules and Materials, Exp. Solid State Physics III, Toernooiveld 1, 6525 ED, Nijmegen, NLD)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
283
号:
1-2
ページ:
72-80
発行年:
2005年09月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)