文献
J-GLOBAL ID:200902225753926716
整理番号:03A0381307
単一電子トランジスタおよび金属-酸化物-半導体トランジスタの組合せによる多値論理およびメモリ
A Multiple-Valued Logic and Memory With Combined Single-Electron and Metal-Oxide-Semiconductor Transistors.
著者 (3件):
INOKAWA H
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUJIWARA A
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
50
号:
2
ページ:
462-470
発行年:
2003年02月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)