文献
J-GLOBAL ID:200902225861623320
整理番号:06A0135052
AlGaN/GaN電界効果トランジスタの低速過渡電流崩壊のオゾン不動態化: 貫通転位と不動態化機構の役割
Ozone passivation of slow transient current collapse in AlGaN/GaN field-effect transistors: The role of threading dislocations and the passivation mechanism
著者 (3件):
DISANTO D. W.
(Dep. of Physics, Simon Fraser Univ., 8888 Univ. Drive, Burnaby BC, Canada V5A 1S6)
,
SUN H. F.
(Compound Semiconductor Device Lab., Simon Fraser Univ., 8888 Univ. Drive, Burnaby BC, Canada V5A 1S6)
,
BOLOGNESI C. R.
(Compound Semiconductor Device Lab., Simon Fraser Univ., 8888 Univ. Drive, Burnaby BC, Canada V5A 1S6)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
1
ページ:
013504-013504-3
発行年:
2006年01月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)