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文献
J-GLOBAL ID：200902225903300284
整理番号：03A0863395
SiC基板上の相互コンダクタンスの大きいエンハンスメントモードAlGaN/GaN HEMT
High transconductance enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate
KUMAR V
(Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA)
,
KULIEV A
(Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA)
,
TANAKA T
(Hitachi Cables Ltd., JPN)
,
OTOKI Y
(Hitachi Cables Ltd., JPN)
,
ADESIDA I
(Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 39 号： 24 ページ： 1758-1760 発行年： 2003年11月27日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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